图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SPD,SPU18P06P |
| 文档 |
Multiple Devices 22/Feb/2008 |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 18.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 33nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 860pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 80W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | P-TO252-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18.6A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | P-TO252-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 80W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 860pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 33nC @ 10V |
| 其他名称 | SPD18P06PINCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | P |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 6.5 x 6.22 x 2.3mm |
| 身高 | 2.3mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 最大连续漏极电流 | 18.6 A |
| 最大漏源电阻 | 0.13 Ω |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 80 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-252 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 22 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 690 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 24.5 ns |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 宽度 | 6.22mm |
| associated | RE901 EYGA121807A EYGA091203SM FK 244 13 D PAK FK 244 08 D PAK |
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